В России разрабатывают энергонезависимую память на основе сегнетоэлектрического оксида гафния
Исследовательская микросхема во время статистических исследований матриц устройств памяти на основе HfO2 .Источник изображения: Журнал «За науку» МФТИ В лаборатории...
